MBE InGaAs/GaAs量子点结构及其光吸收调制

摘要：

利用分子束外延技术,自组织生长了具有正入射红外吸收特性的InGaAs/GaAs量子点超晶格结构.通过变结构参数和生长参数,可改变量子点的形状、尺寸和调制其红外吸收波长,可用于研制8-12μm大气窗口的红外探测器.实验上观测到随着量子点超晶格结构的InGaAs层厚度增加,其红外吸收峯蓝移,而PL峯红移和半峯宽变窄.用量子点间的耦合作用随InGaAs层的厚度的增加而增强的观点对其机理给予了解释.

关键词： 分子束外延 光吸收 InGaAs/GaAs量子点 超晶格结构

作者: 孔梅影 曾一平 李晋闽

作者单位: 中国科学院半导体研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 196-199

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）