应变自组装InAs/GaAs量子点材料与器件的发光特性研究

摘要：

本文采用MBE技术生长应变自组装InAs/GaAs量子点微结构材料,并用量子点材料作有源层制备出激光二极管.研究了材料的光致发光与器件的电致发光特性.条宽100μm腔长为1.6mm,腔面未镀膜激光二极管室温下最大光功率输出2.74W.

关键词： InAs/GaAs量子点材料 量子点激光器 半导体异质结材料 激光二极管 发光特性

作者: 钱家骏 徐波 陈涌海 叶小玲 王占国

作者单位: 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 183-186

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）