多层强耦合量子点的研究现状

摘要：

本文总结了强耦合InAs量子点电学特性和GaAs间隔层厚度的关系,用量子点间的非共振隧穿模型给出了完美的解释,并提出了生长柱形量子点的方法.

关键词： 量子点 强耦合 应变场 S-K模式 量子点串 柱形量子点 电学特性

作者: 朱天伟 徐波 何军 谢二庆 王占国

作者单位: 中国科学院半导体所材料科学重点实验室(北京) 兰州大学物理科学与技术学院(兰州)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 179-182

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）