GaAs基共振隧穿二极管(RTD)材料结构设计

摘要：

本文在深入细致地分析RTD材料结构参数与器件特性参数关系的基础上,对以SI-GaAs为衬底的共振隧穿二极管(RTD)分子束外延(MBE)材料生长结构进行了设计.结果表明,用此材料研制成的RTD器件,室温电流峰谷比PVCR达到7.6:1,最高振荡频率为54GHz,开关时间为10<”-11>s数量级,这些参数值表明,材料设计是成功的.

关键词： GaAs材料 分子束外延 半导体材料 共振隧穿二极管 结构设计

作者: 郭维廉 天津工业大学信息与通信工程学院(天津) 梁惠来 牛萍娟 张世林 赵振波

作者单位: 天津大学电子信息工程学院(天津) 天津工业大学信息与通信工程学院(天津)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 170-174

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）