用MOCVD外延P-InP的掺杂特性

摘要：

本文研究了用MOCVD方法在(100)InP衬底上外延InP,其p掺杂在不同浓度下的扩散问题,发现了扩散长度随浓度的变化关系,还研究了P-InP的掺杂浓度与退火环境的关系,结果显示,在不同的退火环境(AsH<,3>/H<,2>和PH<,3>/H<,2>)下,所得到的浓度相差一个数量积.

关键词： 光电器件 半导体材料 化学气相沉积 外延生长 磷化铟 掺杂浓度 退火环境

作者: 于丽娟 杨辉 芦秀玲 金潮渊

作者单位: 中国科学院半导体研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 167-169

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）