Si(111)衬底上3C-SiC外延层中静力学应力性质的研究
本文应用拉曼散射方法研究了在不同温度下生长在Si(111)衬底上的3C-SiC外延层中的静力学应力.3C-SiC外延层是采用低压化学气相沉积(LPCVD)生长系统,以SiH<,4>和C<,2>H<,4>为气源,在相同的SiH<,4>和C<,2>H<,4>的流量和超低压(30Pa),在三种不同的反应温度(900□,950□,1000□),在Si(111)衬底上外延生长出的.拉曼散射结果揭示了3C-SiC外延层中的静力学应力是张应力,其大小分别为7.1×10<”9>dyn/cm<”2>,4.5×10<”9>dyn/cm<”2>.随着生长温度的提高,张应力明显减小,所获SiC样品的Raman散射谱中出现的TO、LO峰强度不断增大,可以认为生长温度的提高有利于获得高质量的SiC薄膜.
碳化硅 外延生长 化学气相淀积 拉曼散射 半导体材料 应力学性质
孙澜 韩平 叶强 朱顺明 郑有炓 李健 史君 周坤
南京大学物理系(南京)
国内会议
厦门
中文
163-166
2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）