低压MOCVD ZnO的生长与性质

摘要：

利用LP-MOCVD技术在(0002)蓝宝石衬底上制备出c轴取向高度一致的单晶ZnO薄膜,AFM测量显示其表面形貌为柱状生长的光滑表面,室温及低温光荧光谱测量显示近带边发射和激子发射,没有观察与深能级有关的蓝带等发射.采用Al电极制备出ZnO的MSM结构的光导型探测器原型器件,在紫外波段观察到与带边吸收有关的光电响应.

关键词： 光电性质 氧化锌薄膜 化学气相淀积 薄膜制备

作者: 顾书林 叶建东 朱顺明 陈童 秦锋 赵伟强 胡立群 张荣 施毅 郑有炓

作者单位: 南京大学物理系(南京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 160-162

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）