多量子阱激光器和调制器有源区对接外延生长的研究

摘要：

本文提出了一种改善集成器件中各部分之间耦合效率的新结构,通过SEM照片观察多种情况下的外延形貌,研究了不同的刻蚀方法和工艺步骤对对接外延质量的影响.实验结果表明,采用非选择生长同时外延激光器和调制器上波导层以及两者之间的对接波导的方法,可以获得很好的生长界面,有助于提高多量子阱波导对接的耦合效率.

关键词： 激光器 电吸收调制器 多量子阱波导 集成器件 刻蚀方法 外延质量

作者: 胡小华 朱洪亮 王圩 王宝军

作者单位: 中国科学院半导体研究所,光电子国家工艺中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 156-159

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）