半绝缘砷化镓晶体缺陷X射线透射形貌观察

摘要：

本文采用扫描X射线透射形貌技术(Lang法)研究了半绝缘砷化镓中的高密度位错的结构与分布,在没有特殊工艺措施的情况下,一般LEC法生产的SI-GaAs单晶片的周边区域,都存在着高密度位错的相互作用、割阶和缠绕的产物-胞状结构.

关键词： 砷化镓 半导体材料 晶体缺陷 密度位错 X射线形貌技术

作者: 徐岳生 王海云 唐蕾 刘彩池 郝景臣

作者单位: 河北工业大学材料学院信息功能材料研究所(天津) 信息产业部1413所(石家庄)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 148-151

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）