GaN MOCVD生长中低温缓冲层生长速率对外延层质量的影响

摘要：

本文通过对于生长过程的在位监测,以及生长后的外延片的结晶和表面测量,研究了在MOCVD生长中,研究了低温缓冲层生长速率对于外延层质量的影响.

关键词： 低温缓冲层 半导体材料 氮化镓 化学气相淀积 外延生长

作者: 于广辉 千叶大学电子光情报基础技术研究中心(日本)

作者单位: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 140-143

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）