φ2″掺硅VB—GaAs体单晶材料制备

摘要：

本文简要对比了几种GaAs体单晶材料生长工艺的优劣,详细介绍了VB工艺生长过程及其关键技术,介绍了目前国内的VB—GaAs单晶研究水平.

关键词： GaAs单晶 VB工艺 引晶技术 单晶生长 半导体材料 晶体生长 生长工艺

作者: 牛沈军 兰天平 丰梅霞 李文江

作者单位: 信息产业部电子第四十六研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 136-139

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）