GaAs(110)衬底GaN薄膜的制备与特性研究

摘要：

本文报道了用溅射后退火反应法在GaAs(110)衬底上制备的高质量GaN薄膜.XRD,XPS,TEM测量结果表明该方法制备的GaN是沿c轴方向生长的六角纤锌矿结构的多晶薄膜.在室温下,PL测量发现位于368nm处的强光致发光峰.

关键词： 光致发光 退火反应法 薄膜制备 氮化镓薄膜 薄膜特性

作者: 杨莺歌 马洪磊 薛成山 庄惠照 郝晓涛 马瑾

作者单位: 山东大学物理与微电子学院(济南) 山东师范大学半导体研究所(济南)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 131-135

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）