横向外延GaN的结构特征

运用金属有机物化学气相外延设备(MOCVD),在氮化镓/蓝宝石复合衬底上,采用横向外延生长技术制备出高质量的GaN外延薄膜,并对其进行了TEM、X射线双晶衍射测量和分析.发现在横向生长区的GaN中穿透位错密度大幅度降低,位错排列的方向由窗口区的<0001>方向,转为水平方向(<11-20>方向).X射线双晶ω扫描发现横向生长区GaN的(0001)晶面发生晶面倾斜,即与窗口区GaN的(0001)晶面之间存在有取向差.
横向外延 结构特征 半导体材料 氮化镓 外延生长
冯淦 朱建军 赵德刚 杨辉 梁骏吾 吴巨
中科院半导体研究所,集成光电子学国家联合重点实验室(北京) 中科院半导体研究所,材料开放实验室(北京)
国内会议
厦门
中文
127-130
2002-10-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)