半绝缘砷化镓中缺陷深能级的热激电流测量

摘要：

本文介绍了热激电流的测量装置和测量技术.测量了半绝缘砷化镓中缺陷深能级的热激电流镨,并依此计算了深能级的位置.研究了半绝缘砷化镓的化学配比与热激电流镨的关系.

关键词： 砷化镓 热激电流 缺陷深能级 半导体材料 测量技术

作者: 李成基 李韫言 何宏家

作者单位: 中国科学院半导体研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 124-126

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）