侧向外延法降低立方相GaN中的层错密度
本文尝试用侧向外延(ELOG)方法来降低立方相GaN中的层错密度.TEM平面像的观察表明经过ELOG方法生长后,立方相GaN外延层中的层错密度由侧向外延生长前的5×10<”9>cm<”-2>降低至生长后的6×10<”8>cm<”-2>.双晶X射线衍射(DCXRD)测量给出侧向外延前后外延层ω扫描(002)衍射rocking curve的半高宽(FWHM)分别为33arcmin和17.8arcmin,表明晶体质量有了很大改善.文中对立方相GaN侧向外延过程中层错减少的机制进行了讨论.
侧向外延 半导体材料 氮化镓 外延生长 位错密度
沈晓明 付羿 冯淦 张宝顺 冯志宏 杨辉
中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京)
国内会议
厦门
中文
118-123
2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）