GaAs、GaN的快速扫描光荧光谱表征技术研究

摘要：

本文详细研究了快速扫描光荧光谱(PL Mapping)在表征砷化镓(GaAs)和氮化镓(GaN)材料中的应用,实验结果表明材料晶片的PL Mapping特性与材料制备工艺和器件性能有着十分密切的关系,所以在为制备器件筛选优质的材料时,除了常规参外,PL Mapping也是表征材料质量的一个重要参数.

关键词： 光荧光谱 砷化镓 氮化镓 表征技术 半导体材料 材料质量

作者: 李光平 汝琼娜 李静 何秀坤 董彦辉 陈祖祥

作者单位: 信息产业部电子第四十六研究所(天津) 美国安格盛光电科技公司北京代表处(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 114-117

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）