半绝缘砷化镓中位错与微缺陷的相互作用

摘要：

半绝缘砷化镓(SI-GaAs)衬底的质量对离子注入器件的性能有重要影响,其中位错和微缺陷是主要因素.本文采用超声AB腐蚀法,熔融KOH腐蚀法、TEM和PL Mapping技术,系统的研究了位错和微缺陷,查明微缺陷的物理实质,并找出位错和微缺陷的相互作用.

关键词： 砷化镓 位错 微缺陷 半导体材料 LEC法 晶体生长

作者: 徐岳生 张春玲 刘彩池 唐蕾 郎益谦 郝景臣

作者单位: 河北工业大学材料学院信息功能材料研究所(天津) 信息产业部1413所(石家庄)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 110-113

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）