NH<,3>-MBE GaN极性研究
氮化镓(GaN)材料在光电子和微电子领域具有重要的应用潜力,而材料极性对氮化镓材料及器件都有着重要的影响.我们用NH<,3>作氮源,采用气源分子束外延(GSMBE)方法,通过使用RF-MBE(射频等离子体源分子束外延)GaN作为模板,在(0001)蓝宝石衬底(Al<,2>O<,3>)上生长出了高质量的镓面极性氮化镓单晶外延膜.用反射高能电子衍射仪(RHEED)、化学腐蚀和原子力显微镜等方法对所生长的氮化镓材料的极性进行了研究.室温霍耳测量显示氮化镓外延膜的电子迁移率高达290cm<”2>/V.s.
氮化镓 电子迁移率 分子束外延 半导体材料 材料极性
王军喜 王晓亮 孙殿照 刘宏新 胡国新 李晋闽 曾一平 林兰英
中国科学院半导体研究所材料中心(北京)
国内会议
厦门
中文
98-101
2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）