在(311)A GaAs衬底上生长GaAs/GaAlAs P沟道HFET材料

摘要：

利用分子束外延技术在(311)A衬底上,使用单一的硅源作为掺杂剂,通过控制Ⅴ/Ⅲ比和衬底温度等生长条件生长出不同导电类型的半导体材料,并生长了高性能的P沟道HFET材料.

关键词： 调制掺杂 二维空穴气 二维电子气 半导体材料 分子束外延 砷化镓

作者: 邱凯 谢自力 尹志军 张晓娟 陈建炉

作者单位: 南京电子器件研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 88-89

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）