MBE生长含应变层InGaAs/GaAs选择掺杂异质二维电子气

摘要：

利用GEN-Ⅱ型进口分子束外延设备生长InGaAs/AlGaAS/GaAs异质结构材料,并进行了材料结构优化设计和材料特性研究,并用于研制PHEMT器件.

关键词： 半导体材料 分子束外延 InGaAs/GaAs 二维电子气

作者: 谢自力 邱凯 陈建炉 张晓娟

作者单位: 南京电子器件研究所(南京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 86-87

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）