Si衬底上无裂纹GaN膜的GSMBE生长

摘要：

通过采用短周期的AlN/GaN超晶格和低温AlN夹层,我们首次在国内用气源MBE方法在Si(111)衬底上获得了厚度约为1微米左右的完全无裂纹的GaN外延层.在光学显微镜下可以观察到在原生的薄膜表面的小丘状Ga面特征,并用双晶X射线回摆曲线对外延层的质量进行了评价,我们得到的无裂纹GaN外延层的双晶回摆曲线半峰宽为16.55弧分(993arcsec).

关键词： 分子束外延 氮化镓 半导体材料 外延生长 质量评价 表面裂纹

作者: 罗木昌 王晓亮 刘宏新 王雷 李晋闽 孙殿照 曾一平 林兰英

作者单位: 中国科学院半导体研究所材料中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 74-77

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）