Si(111)衬底GaN材料生长

摘要：

采用LP-MOCVD技术在Si(111)上生长六方GaN.有别于传统的二步法,采用高温AlN缓冲层技术,抑制Si衬底与缓冲层之间界面SiN<,x>的形成,从而得到高质量GaN外延层,其X光双晶衍射ω扫描峰值半高宽为612sec;光致发光谱峰值半高宽为4.2nm(300K).

关键词： GaN Si衬底 半导体材料 氮化镓 外延生长 缓冲层技术

作者: 张宝顺 陈俊 沈晓明 冯淦 朱建军 刘素英 史永生 赵德刚 杨辉 梁骏吾

作者单位: 中科院半导体所,集成光电子国家重点实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 106-109

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）