在蓝宝石上MBE GaN外延膜的高温电导分析

摘要：

用射频等离子体辅助分子束外延技术在蓝宝石衬底上外延了高阻GaN膜并用霍耳测试系统做了外延膜的高温变温电阻率测试和高温单个温度的霍耳测试.分析了自由电子浓度及其迁移率在高温随温度的变化,在此分析的基础上对高温变温电阻率实验数据做了曲线拟合,得到有关外延膜重要参数,由此估计的穿透位错密度、深能级的激活能和浓度分别为(6-16)×10<”9>cm<”-2>、0.58eV和(2-7)×10<”18>cm<”-3>.

关键词： 分子束外延 氮化镓 电导率 深能级 穿透位错 半导体材料 电导分析

作者: 孙殿照 胡国新 王万年 王军喜 王晓亮 曾一平 李晋闽 林兰英

作者单位: 中科院半导体所材料中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 102-105

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）