掺纳米ZnO的ZrO<,2>(3Y)材料的中低温电导

摘要：

采用交流阻抗谱技术,在473~973K温度范围,对掺纳米ZnO的ZrO<,2>(3Y)复合掺杂材料的电导率随ZnO第二相质量分数的变化关系进行了研究.研究发现,掺很少量的纳米ZnO(0.5wt﹪~1.0wt﹪),纳米ZrO<,2>(3Y)材料晶粒和晶界电阻显著增加、电导率降低,原因在于缺陷缔合效应的加剧阻碍了氧空位的迁移;随着ZnO掺入量的继续增加(>1.0wt﹪),晶界电阻显著减小、电导率回升,材料中电子迁移数增加是导致这一结果的原因.

关键词： 复合掺杂 复阻抗 电导率 纳米材料 陶瓷材料 钇稳定氧化锆材料

作者: 刘毅 劳令耳 袁望治 黄英才 王大志

作者单位: 贵州工业大学(贵阳) 华东师范大学(上海) 中国科学技术大学(合肥)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届中国固态离子学学术会议暨固体电化学能源装置国际研讨会

会议地点: 合肥

会议语种:中文

页码: 321-326

在线出版日期: 2002-10-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）