自组织生长多层Ge岛的结构分析

摘要：

作者们在一个具有间隔双模的Ge岛的表面上生长了多层的Ge/Si结构。原位的高能电子衍射、原子力显微镜和截面透射电子显微镜被用于对其进行结构分析。发现随着岛的层数增加，发生Stranski-krastanov跃迁的临界厚度变薄，岛的尺寸增加而且变得均匀，岛的间隔也由双模分布变化单模。

关键词： Ge岛 结构分析 生长过程

作者: 黄昌俊 李代宗 成步文 罗丽萍

作者单位: 集成光电子国家重点实验室,半导体所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 166～168

在线出版日期: 2000-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）