Ge/Si(100)界面互扩散的喇曼光谱研究

摘要：

该文利用喇曼光谱研究了不同温度下在Si(100)衬底上异质外延Ge层由于扩散引起的Ge/Si异质结界面互混以及表面活化剂Sb对其的影响。结果表明表面活化剂Sb的存在大大抑制了界面的相互扩散，在650℃下也没有观察到明显的界面互混。没有Sb时，在500℃下已存在一定程度的界面互混。

关键词： Ge/Si界面 喇曼光谱

作者: 蒋伟荣 周星飞 施斌 胡冬枝 刘晓晗 蒋最敏

作者单位: 复旦大学应用表面物理国家重点实验室(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届全国分子束外延学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 128-129

在线出版日期: 1999-06-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）