GaP：N LPE半导体材料位错密度和位错坑形态分析

摘要：

该文利用扫描电子显微镜，详细地研究了GaP:NLPE材料中位错密度和发光的关系及位错坑形态。结果发现，样品经外延后，外延层的位错密度比衬度的位错密度有不同程度的下降，因样品各异，下降幅度由37到83：外延层的位错密度越低，样品的发光越好。位错坑的形态有正六棱锥形、不等边六棱锥形和正三棱锥形三种形状，随着腐蚀过程进行。正六棱锥形坑渐渐演变为正三棱锥形坑。

关键词： GaP N LPE半导体材料 位错密度 位错坑 形态分析

作者: 李永良 郝京海

作者单位: 师范大学分析测试中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 宜昌

会议语种:中文

页码: 142～145

在线出版日期: 1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）