与GaN中缺陷相关的室温光荧光谱
利用GaN外延材料表面和界面的室温PL谱,观察并分析了带边峰的结构和与缺陷相关的束缚激子峰。
GaN外延材料 缺陷 室温PL谱 束缚激子峰
朱建军 刘素英 史永生 杨辉
中国科学院半导体研究所光电工艺中心
国内会议
广西北海
中文
152~154
2000-10-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
GaN外延材料 缺陷 室温PL谱 束缚激子峰
朱建军 刘素英 史永生 杨辉
中国科学院半导体研究所光电工艺中心
国内会议
广西北海
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152~154
2000-10-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)