立方相GaN基LED的电化学C-V测量

摘要：

作者们用电化学C-V的方法测量了MOCVD生长的双异质结结构绿光LED。采用稀盐酸腐蚀液，加正向偏压，边腐蚀边测量。实验完毕，用SEM观察表面和截面情况，发现被腐蚀区域的P-GaN/InGaN/N-GaN层已经与GaAs衬底脱离，并在GaAs衬底上腐蚀出坑。从GaN的结构特性分析，作者们认为，GaN中的层错堆积形成晶界作为导电通道，加快了晶界附近的GaN腐蚀速度。

关键词： GaN基 LED 结构分析 C-V测量方法

作者: 李顺峰 杨辉 徐大鹏 张书明

作者单位: 中科院半导体研究所国家光电子工艺中心

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 130～132

在线出版日期: 2000-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）