六方GaNLED制作工艺技术研究

摘要：

该文研究了六方GaNLED制作工艺技术，包括P型层的活化技术，反应离子刻蚀技术，P型GaN和N型GaN欧姆接触电极的制备技术等。研制的LED工作电压为3.8伏，亮度大于1cd，达到了实用化的要求。

关键词： GaNLED 工艺技术 离子刻蚀技术

作者: 张书明 段俐宏 孙元平

作者单位: 科学院半导体研究所光电子工艺研究发展中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 199～201

在线出版日期: 2000-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）