Ga-N-C-H体系的热力学分析

摘要：

该文研究了以三甲基镓(TMGa)和氨(NH<,3>)为气源物质、以氢气(H<,2>)为载气进行GaN半导体MOVPE外延生长时，NH<,3>分解率对于GaN半导体外延生长的成分空间的影响。热力学计算结果表明：随着NH<,3>分解率的提高，用于生长GaN外延层的气-固两相区逐渐变小，解释了实际生长过程中V/III比要求很高的原因。低NH<,3>分解率有助于GaN的金属有相物气相外延生长。

关键词： Ga-N-C-H体系 热力学分析

作者: 李长荣 杜振民 卢琳 张维敬

作者单位: 北京科技大学材料科学与工程学院

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国相图学术会议

会议地点: 合肥

会议语种:中文

页码: 177～181

在线出版日期: 2000-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）