ｎ－ＧａＮ肖特基结

摘要：

在ＭＢＥ和ＭＯＣＶＤ两种方法制备的ｎ－ＧａＮ材料上，通过热蒸发、离子束溅射和光快速退火等工艺，制作了Ａｕ－ＧａＮ肖特基结和Ｔｉ／Ａ１／Ｔｉ／Ａｕ－ＧａＮ欧姆接触，并在室温测定了肖特基结的Ｉ－Ｖ特性。分析表明。ＧａＮ材料的载流子浓度对肖特基结的特性有很大的影响。

关键词： ＧａＮ 肖特基结 势垒高度 理想因子

作者: 张太平 林兆军 孙展照 张国义 武国英 阎桂珍

作者单位: 大学微电子所(北京) 科学院半导体所新材料部(北京) 大学物理系(北京) 大学微电子所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 468～471

在线出版日期: 1999-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）