GaN——第三代半导体的代表

摘要：

GaN是第三代半导体的代表。该文叙述了GaN材料的优良特性，制造微波高温半导体器件的研究动态和应用前景，尤其是GzNLED和LD近几年令人瞩目的进展以及在大屏幕全色显示、交通信号灯、汽车尾灯、甚至固体照明灯以及高速超大容量CD-ROM信息存贮等方面应用的诱人前景。因此，GaN材料和器件既是科学家们的研究前沿，又是企业家们巨大市场竞争的焦点。

关键词： GaN 半导体

作者: 梁春广

作者单位: 工业部第十三研究所(石家庄)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 宜昌

会议语种:中文

页码: 12

在线出版日期: 1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）