硅基GaN外延层的调光电子能谱及二次离子质谱的研究

摘要：

该文报导了在硅基上用真空反应的方法制备出了GaN外延层。利用ESCALAB表面分析仪和二次离子质谱仪对外延层的组成进行了表面分析（定量）和深度剖析（定性），发现外延层Ga和N组份分布均匀，并存在少量由衬底扩散过来的硅及蒸发出来的SiO<,2>。

关键词： GaN X光电子能谱 二次离子质谱

作者: 张昊翔 叶志镇

作者单位: 大学硅材料国家重点实验室(杭州)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 153～155

在线出版日期: 1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）