GaN／GaAs异质结构中大密度面缺陷的分析

摘要：

运用高分辨透射电子显微镜分析GaN／GaAs异质微观结构。观察到立方相外延层GaN中存在看大量的、不对称的面缺陷（层错和微孪晶）。并对其生成的原因进行了讨论

关键词： GaN/GaAs异质结构 大密度面缺陷

作者: 韩培德 杨海峰 杨辉

作者单位: 科学院半导体研究所半导体材料科学实验室(北京) 科学院凝聚态物理中心,北京电子显微镜实验室 科学院半导体研究所国家光电子工艺中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 181～183

在线出版日期: 1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）