带宽为15GHz的高速GaInAs/InP平面PIN探测器的研究

摘要：

该文提出了高速GaInAs／InP平面PIN探测器基本设计原理；并基于这一原理设计研制了带宽为15GHz的高速GaInAs/InP平面PTN探测器，该器件具有高速响应（15GH2带宽），高响应度（R．为0.98A/W），低暗电（ID=0.01nA），低电容（0.2Pf)和高可靠性。

关键词： GaInAs/InP平面PIN探测器

作者: 涂之韬 王任凡

作者单位: 邮电科学研究院电信器件公司

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 宜昌

会议语种:中文

页码: 269～275

在线出版日期: 1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）