GaAs太阳电池低温退火技术的研究

摘要：

该文介绍作者近年来在Al<,x>Ga<,1-x>As／GaAs异质结太阳电池的研究工作中发展起来的一种低温退火技术（LTA）．以及它对Al<,x>Ga<,1-x>As／GaAs太阳电池性能的影响。经过一系列实验，证明低温退火工艺技术是一项改进太阳电池性能的有效措施。Al<,x>Ga<,1-x>As／GaAs太阳电池经过适当的低温退火处理看，其填充因子（F．F）明显提高，开路电压（Voc）略有增加，因而导致了太阳电池的转换率的明显提育。作者用电化学C-V测量技术对退火前后的外延片进行了测量分析，并对退火效应的机理进行了一些初步的探讨。

关键词： GaAs太阳电池 低温退火

作者: 向贤碧 常秀兰

作者单位: 科学院半导体所材料开放科学实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 21～23

在线出版日期: 1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）