GaAs衬底上MOCVD生长立方相GaN材料的生长速率研究

摘要：

该文首次报道在高温生长条件下用低压MoCVD在GaAs（100）面的生长立方相GaN的外延膜生长速率随时间衰减的特性，给出GaN外延膜的厚度同生长时间的非线性关系，同时建立了同实验相符合的理论模型。研究人员着重分析讨论生长温度及源的流量对这种非线性关系影响。

关键词： GaAs衬底 MOCVD 生长立方相GaN材料 生长速率

作者: 徐大鹏 杨辉

作者单位: 光电子工艺中心,北京中科院半导体所

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 宜昌

会议语种:中文

页码: 109～113

在线出版日期: 1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）