GaAs衬底上MOCVD生长立方相GaN材料的稳定性研究

摘要：

该文采用高温热退火和激光退火的方式对低压MOCVD方法在GaAs衬底（001）面制备的立方相GaN薄膜进行处理，利用光致发光光谱和喇曼散射光谱来研究相变过程。首次报道了亚稳相c-GaN的相变条件及其光学特征。

关键词： GaAs衬底 MOCVD 生长立方相GaN材料

作者: 孙小玲 杨辉

作者单位: 科学院半导体研究所,国家光电子工艺中心(北京) 科学院半导体研究所,超晶格开放实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 宜昌

会议语种:中文

页码: 105～108

在线出版日期: 1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）