GaAs衬底的GaN蓝光二极管的工艺设计

摘要：

作者们利用光学薄膜原理论上计算了利用金属薄膜作为反射，利用WB(wafer bonding)方法去掉GaAs衬底并将之替换成Si衬底，从而提高以GaAs为衬底的立方相GaN的出光效率的理论可行性。从计算中可以得出，以Ni为粘附层，Ag为反射的Ni/Ag/Au薄膜体系具有最佳的效果，采用这个方案可以使立方GaN的出光效率从理论上提高3倍左右。

关键词： GaAs衬底 GaN蓝光二极管 工艺设计

作者: 孙元平 杨辉 张书明

作者单位: 中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 205～207

在线出版日期: 2000-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）