二种不同制备工艺的GaAsMESFETs的背栅效应研究

摘要：

该文设计了一套适用于不同工艺的背栅效应测试版图，分别用离子注入隔离工艺和半绝缘衬底自隔离工艺在非掺杂的半绝缘GaAs衬底上制备GaAsMESFETs，并对二种不同工艺在制备的MESFETs器件的背栅效应进行了研究。结果表明，采用离子注入隔离工艺制备的MESFETs器件的背栅效应要比采用半绝缘衬底自隔离工艺制备MESFETs器件的背栅效应小。

关键词： GaAsMESFETs 背栅效应

作者: 刘汝萍 夏冠群

作者单位: 科学院上海冶金研究所传感器开放实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 宜昌

会议语种:中文

页码: 195～198

在线出版日期: 1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）