GaAs衬底上分子束外延HgCdTe材料的位错密度

关键词： GaAs 分子束外延 HgCdTe材料 位错密度

作者: 于梅芳 巫艳 陈路 陈新强 何力 杨建荣

作者单位: 中国科学院上海技术物理研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届全国分子束外延学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 194-195

在线出版日期: 1999-06-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）