用正电子寿命分布研究塑性形变GaAs

摘要：

用正电子湮没寿命谱及最大熵原理研究了塑性形变p型GaAs中的缺陷性质。样品原始载流子浓度为2.63×10<”18>cm<”-3>。形变量分别为2.5℅和15℅。室温正电子了寿命测量结果显示，形变样品中有新的空位型缺陷产生，鉴定为空位团。根据塑性形变样品中空位团的正电子捕获率的大小和寿命谱温度关系初步判断：在p型GaAs中，塑性形变产生的空位团的荷电性为正。

关键词： GaAs MELT 点缺陷 塑性形变 正电子寿命

作者: 王柱 王少阶 陈志权 马莉 李世清

作者单位: 武汉大学物理系

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国第七届正电子湮没学术会议

会议地点: 泉州

会议语种:中文

页码: 63-67

在线出版日期: 1999-04-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）