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GaAs/AlGaAs多量子阱的势垒不对称性

该文报导了MBE技术生长GaAs/AlGaAs量子阱材料制作的长红外探测器的研究结果。将实验测量值同理论计算结果进行了比较,分析了量子阱势垒的不对称问题。

GaAs/AlGaAs多量子阱 势垒不对称性

谢东珠 李洪发 余晓中 魏永乐 郭献东

上海航天局第八零三研究所(上海)

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第五届全国分子束外延学术会议

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163-164

1999-06-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)