GaAs／AlAs异质谷间转移电子器件弛豫振荡模式的研究

摘要：

该文运用多能谷电子隧穿理论和MonteCarlo模拟建立了异质谷间转移电子器件的动态工作模拟模型。在此基础上编制成模拟设计软件，对各类结构器件进行了模拟计算。发现了两种谷间转移电子效应间的强相互作用和新的豫振荡核式。运用该模式解释了器件的各类振荡和放大性能和量于阱控制极的重要控制功能。

关键词： GaAs／AlAs异质谷间转移电子器件 弛豫振荡模式

作者: 薛舫时

作者单位: 体超晶格国家重点实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 宜昌

会议语种:中文

页码: 206～209

在线出版日期: 1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）