GaAs MMIC中氮化钽薄膜电阻的制备技术
该文介绍了在GaAsMMIC中TaN薄膜电阻制备技术，给出了制作薄膜电阻的基本工艺条件及方块电阻值的控制方法，对薄膜厚度的均匀性，薄膜厚度、应力与氮流量的关系，以及方块阻值与氮气流量的关系进行了实验与分析。在直径为3英寸的GaAs园形衬底上，电阻均匀性可控制在±1℅以内，通过控制氮气流量可以很方便的获得20～50O／sq．的TaN薄膜电阻。文中并对TaN薄膜电阻制作后的热退火、热稳定性及相关的工艺制作条件进行了讨论、分析。目前，此方面工作仍在进一步开展进行中。
GaAS MMIC中氮化钽薄膜 电阻
周剑明 钱峰
电子器件研究所
国内会议
宜昌
中文
365～368
1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）