三种GaAs MMlC MESFET混频器性能比较

摘要：

该文给出了三种GaAS MESFET单片混频器结构与芯片测试结果比较。实验表明，在相同本振功率激励下GeAs MMIC双栅混频器具有良好变频特性，栅混频器指标次之，漏混频器结构最简单，但变频特性不如前两种。

关键词： GaAs MMlC MESFET混频器 性能比较

作者: 孙晓玮 程知群

作者单位: 科学院上海冶金研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 宜昌

会议语种:中文

页码: 191～194

在线出版日期: 1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）