Si-栅MOSFET抗总剂量加固技术研究

摘要：

MOSFET总剂量加固强烈依赖工艺技术，对干氧方式不同条件制备的NMOS、PMOS管，分析其辐照响应，并借用亚阈值I-V技术分离氧化物陷阱电荷和界面陷阱对阈值电压漂移的贡献，得出干氧抗总剂量加固较佳的工艺条件。

关键词： 总剂量加固 干氧 亚阈值 辐照响应

作者: 胡永贵 谭开州

作者单位: 电子部24所(重庆)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会

会议地点: 江苏扬州

会议语种:中文

页码: 245～250

在线出版日期: 1999-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）