自组织生长InGaAS/GaAs量子点超晶格的研究

摘要：

研究人员利用分子束外延技术自组织生长了40周期低组份InGaAs/GaAs量子点超晶格结构。透射电镜表明，量子点沿生长方向的分布存在着两种不同的区域：完美的垂直对准区域和不严格的垂直对准区域，这种沿生长方向分布的有序性与初始层量子点的分布密切相关。量子点纵向序列的合并、消失与增生是量子点分布有序，均匀一致的主要机制，随着超晶格层数的增加，量子点趋向于沿生长方向的垂直对准，量子点的尺寸与分布也趋向均匀一致，样品不同厚度的PL谱进一步认证了这一点。

关键词： 自组织生长 InGaAS/GaAs量子点超晶格

作者: 庄乾东 李晋闽

作者单位: 科学院半导体研究所新材料部(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 宜昌

会议语种:中文

页码: 26～29

在线出版日期: 1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）