KOH自停止腐蚀技术研究

摘要：

本文在大量的实验结果基础上,给出了KOH自停止工艺的优化参数.利用KOH自停止腐蚀技术,我们制备了微悬梁,薄膜,薄膜光栅,加速度计等结构,并获得了较满意的均匀性.对Si平面薄膜的测量表明:在1000μm内的扫描范围内,Si平面薄膜的B扩面和腐蚀面的表面粗糙度分别在50nm和22nm左右;SEM测量显示,Si薄的颗粒尺寸在纳米量级.

关键词： 自停止腐蚀 KOH 硅平面薄膜

作者: 韩明 王文辉 王跃林 浙江大学信电系(杭州)

作者单位: 中科院上海冶金研究所传感技术国家重点实验室(上海) 浙江大学信电系(杭州)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第四届全国微米/纳米技术学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 27-29

在线出版日期: 2000-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）